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器材的制作由许多进程组成，这些进程有必要发生定义明确的结构，而且从一个器材到下一个器材的误差很小。每一步都一定要考虑之前和随后的制作进程，以保证完结所需的高制作质量。大多数进程都是在真空腔室中经过引进不同的气态化学物质进行的，这些化学物质经过与基材反响来改动外表。最小特征的构成被称为前端制作工艺（FEOL），本文将会集扼要介绍这部分，将依照如下图所示的 22 nm 技能节点制作 FinFET 的工艺流程，解说了 FEOL 制作的完好进程中最重要的工艺进程。
22 nm 技能节点的 FinFET图示(别离具有单个栅极和三个源极和漏极触点)
下面给出最重要的制作进程的图示, FinFET制作的FEOL进程一般类似于以下内容：
光刻：为了构成未来的导电通道，即鳍片(fin)，运用光刻技能制作掩模，其间只要某些区域被掩模资料掩盖。平版印刷工艺具有最大分辨率，这取决于所用光的波长。常用的193 nm波长的紫外光能够到达的最小尺度约为30 nm。为完结更小的特征，运用了自对准双图画化（SADP），运用化学气相堆积（CVD）各向同性地堆积薄层来发生更小的掩模。然后运用反响离子蚀刻 （RIE） 定向蚀刻该薄层，留下堆积资料的薄柱，然后用作掩模，如下图所示：
运用生成的柱子作为初始掩码再次重复此进程称为四重图画 （QP）。为了尽最大或许防止这些杂乱的多重图画化技能，一些制作商现已完结了极紫外（EUV）光刻技能。
金属栅极堆积：高介电常数金属栅极一般由三种不一样的资料的堆叠组成：fin周围具有高介电常数的薄层资料，一般表明为 κ，因而得名 high-k; 另一层稍厚的金属，称为栅极金属; 终究是一层更厚的栅极触摸资料，一般是多晶硅（poly-Si）。这些资料运用CVD或原子层堆积（ALD）进行堆积。
栅极图画化：在栅极触摸资料的顶部，运用光刻技能创立另一个掩模。然后对栅极资料一个接一个地进行蚀刻，使栅极仅掩盖硅fin的
FEOL进程完结后，一切晶体管在工艺金属化进程中衔接以构成电路，这是半导体制作工艺后端（BEOL）的一部分。这是分几层进行的，每层的要害尺度都会添加，终究供给足够大的金属触点，以将IC衔接到外围元件。单个晶圆或许包括数百个一起制作的芯片。因为现在一切晶体管和互连都已构成，因而晶圆能够切割成单个芯片。然后，每个芯片都有合适特定使用的转接板(interposer)以完结终究的封装工艺。
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